一、細胞周期檢測
1.概念
細胞周期是指細胞從上一次分裂完成開(kāi)始,到下一次分裂完成時(shí)為止,包括兩個(gè)階段:分裂間期和分裂期。細胞周期檢測的是單個(gè)細胞的增殖速度,通過(guò)縮時(shí)攝影來(lái)測定。
2.原理
細胞在不同的時(shí)期,細胞所含的DNA量不同。正常細胞的二倍體含量通常為2N,則在G/G1期,細胞的DNA量為2N,而G2/M期細胞DNA含量為4N。S期DNA量為2N—4N。碘化丙錠(PI)可以與細胞內的DNA和RNA結合,通過(guò)RNA酶將RNA消化后,檢測到與DNA結合的PI熒光強度可以直接反映細胞內DNA含量的多少。因此,采用流式細胞術(shù)PI染色法檢測細胞內DNA含量時(shí),可將細胞周期分為G/G1期、S期和G2/M期,并通過(guò)特殊軟件計算各時(shí)相的百分比。
細胞周期檢測結果展示
1. 概念
細胞克隆,又稱(chēng)為細胞集落,指的是單個(gè)細胞在體外增殖6代以上,其后代所形成的細胞群體。細胞克隆實(shí)驗的目的是檢測細胞的增殖能力、細胞侵襲性、對殺傷因素敏感性等項目的重要技術(shù)方法。
2.原理
接種細胞后,只有同時(shí)具有貼壁和增殖活力的細胞才會(huì )形成克隆??寺⌒纬陕史从臣毎莫毩⑸婺芰Φ膹娙?,用于評價(jià)細胞群體依賴(lài)性和增殖能力??寺⌒纬陕逝c接種密度有一定關(guān)系,在進(jìn)行測定時(shí)需要將接種的單個(gè)細胞分散為懸液,并直接接種在培養皿中進(jìn)行持續一周以上的培養,并在此期間進(jìn)行檢查。當出現新的、由單個(gè)原始生長(cháng)出來(lái)的完整幾何結構時(shí),則可以停止培養過(guò)程。
細胞克隆結果展示
三、細胞凋亡實(shí)驗
1.概念
細胞凋亡是指細胞在一定的生理或病理條件下,受內在遺傳機制控制,按照自身程序主動(dòng)性、生理性的死亡過(guò)程。細胞凋亡受凋亡相關(guān)基因調控,故又稱(chēng)為程序性細胞死亡。
2.原理
一般而言,細胞凋亡的早期主要涉及胞內一些蛋白質(zhì)的變化,如蛋白質(zhì)量的增加、位置的轉移、狀態(tài)的改變等,還有一些磷脂和Ca2+含量的變化;中晚期則伴隨著(zhù)DNA斷裂和凋亡小體的形成;而整個(gè)凋亡過(guò)程中細胞形態(tài)也會(huì )發(fā)生改變。
四、細胞侵襲實(shí)驗
1.概念
細胞侵襲實(shí)驗是將細胞小室(Transwell小室)放入培養板中,上室(細胞小室)內盛裝上層培養液,下室(培養板)內盛裝下層培養液,上下層培養液以聚碳酸酯膜相隔。將細胞種在上室內,由于聚碳酸酯膜的通透性,下層培養液中的成分可以影響到上室內的細胞,從而可以研究下層培養液中的成分對細胞生長(cháng)、運動(dòng)等的影響。
2.原理
細胞侵襲指細胞在原位突破基底膜,然后內滲進(jìn)入血管、淋巴管的過(guò)程。
細胞侵襲結果展示
五、細胞遷移實(shí)驗
1. 概念
細胞遷又稱(chēng)為細胞移動(dòng)、細胞爬行或細胞運動(dòng),是指細胞在接收到遷移信號或感受到某些物質(zhì)的梯度后而產(chǎn)生的移動(dòng)。
2. 原理
細胞遷移實(shí)驗是測定細胞遷移運動(dòng)與修復能力的方法,類(lèi)似體外傷口愈合模型。在體外培養皿或平板培養的單層貼壁細胞上,用微量槍頭或其他硬物在細胞生長(cháng)的中央區域劃線(xiàn),去除中央部分的細胞,然后繼續培養細胞至實(shí)驗設定的時(shí)間,取出細胞培養板,觀(guān)察周邊細胞是否生長(cháng)至中央劃痕區,以此判斷細胞的生長(cháng)遷移能力,實(shí)驗通常需設定正常對照組和實(shí)驗組,實(shí)驗組是加了某種處理因素或藥物、外源性基因等組別,通過(guò)不同分組之間的細胞對于劃痕區的修復能力,可以判斷各組細胞的遷移與修復能力。
細胞遷移實(shí)驗結果展示
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